Samsung Electronics aikoo tuoda markkinoille seuraavan sukupolven V-NAND-teknologian

Korealaisten tiedotusvälineiden mukaan Samsung Electronics aikoo tuoda markkinoille seuraavan sukupolven V-NAND-teknologian, jossa on yli 400 kerrosta vuonna 2026 ja VCT-rakenteeseen perustuvan 0a nm:n DRAM-muistin vuonna 2027. Tämä uudentyyppinen V-NAND-tekniikka on nimeltään BV (Bonding Vertical) NAND. Se muuttaa olemassa olevan CoP-oheissolurakenteen valmistamalla muistisolut ja oheispiirit erikseen ja suorittamalla sitten pystysuuntaisen liitoksen, mikä välttää NAND-pinoamisen eivät vahingoita oheispiirin rakennetta ja voivat saavuttaa bittiheyden, joka on 60 % suurempi kuin CoP-ratkaisu. Lisäksi V11 NAND -kerrosten määrää vuonna 2027 lisätään entisestään, I/O-nopeutta voidaan kasvattaa 50 % ja pinoamisen odotetaan tulevan tuhansia kerroksia.