Samsung Electronics planlægger at lancere næste generation af V-NAND-teknologi

Ifølge rapporter fra koreanske medier planlægger Samsung Electronics at lancere næste generations V-NAND-teknologi med mere end 400 lag i 2026 og lancere 0a nm DRAM baseret på VCT-struktur i 2027. Denne nye V-NAND-teknologi kaldes BV (Bonding Vertical) NAND Den vil ændre den eksisterende CoP perifere cellestruktur ved at fremstille hukommelsescellerne og perifere kredsløb separat og derefter udføre vertikal bonding, hvorved NAND-stablingsprocessen undgås den perifere kredsløbsstruktur og kan opnå en bittæthed, der er 60 % højere end CoP-løsningen. Derudover vil antallet af V11 NAND-lag i 2027 blive yderligere øget, I/O-hastigheden kan øges med 50%, og tusindvis af lags stabling forventes at blive opnået i fremtiden.