Samsung Electronics planerar att lansera nästa generations V-NAND-teknik

Enligt rapporter i koreanska media planerar Samsung Electronics att lansera nästa generations V-NAND-teknik med mer än 400 lager 2026 och lansera 0a nm DRAM baserat på VCT-struktur 2027. Denna nya typ av V-NAND-teknologi kallas BV (Bonding Vertical) NAND. Den kommer att ändra den befintliga CoP-perifera cellstrukturen genom att tillverka minnescellerna och de perifera kretsarna separat och sedan utföra vertikal bonding, och därmed undvika NAND-staplingsprocessen inte skada den perifera kretsstrukturen och kan uppnå en bitdensitet som är 60 % högre än CoP-lösningen. Dessutom kommer antalet V11 NAND-lager 2027 att ökas ytterligare, I/O-hastigheten kan ökas med 50 % och tusentals lager av stapling förväntas uppnås i framtiden.