Samsung Electronics ætlar að setja á markað næstu kynslóð V-NAND tækni

Samkvæmt kóreskum fjölmiðlum ætlar Samsung Electronics að hleypa af stokkunum næstu kynslóð V-NAND tækni með meira en 400 lögum árið 2026 og hefja 0a nm DRAM byggt á VCT uppbyggingu árið 2027. Þessi nýja tegund af V-NAND tækni er kölluð BV (Bonding Vertical) NAND Það mun breyta núverandi CoP jaðarfrumu uppbyggingu með því að framleiða minnisfrumur og jaðarrásir sérstaklega og framkvæma síðan lóðrétta tengingu, og forðast þannig NAND stöflun skaðar ekki uppbyggingu jaðarrásarinnar og getur náð smáþéttleika sem er 60% hærri en CoP lausnin. Að auki mun fjöldi V11 NAND laga árið 2027 aukast enn frekar, hægt er að auka I/O hlutfallið um 50% og búist er við að þúsundir laga af stöflun verði náð í framtíðinni.