Samsung Electronics prevede di lanciare la tecnologia V-NAND di prossima generazione

Secondo quanto riportato dai media coreani, Samsung Electronics prevede di lanciare la tecnologia V-NAND di prossima generazione con oltre 400 strati nel 2026 e di lanciare DRAM da 0a nm basata sulla struttura VCT nel 2027. Questo nuovo tipo di tecnologia V-NAND si chiama NAND BV (Bonding Vertical). Cambierà la struttura esistente delle celle periferiche CoP producendo le celle di memoria e i circuiti periferici separatamente e quindi eseguendo il bonding verticale, evitando così il processo di impilamento NAND non danneggia la struttura del circuito periferico e può raggiungere una densità di bit superiore del 60% rispetto alla soluzione CoP. Inoltre, nel 2027 il numero di strati NAND V11 sarà ulteriormente aumentato, la velocità di I/O potrà essere aumentata del 50% e si prevede che in futuro verranno raggiunti migliaia di strati di stacking.