Samsung Electronics plangt d'nächst Generatioun V-NAND Technologie ze lancéieren

Laut koreanesche Medienberichter plangt Samsung Electronics d'nächst Generatioun V-NAND Technologie mat méi wéi 400 Schichten am Joer 2026 ze starten an 0a nm DRAM baséiert op VCT Struktur am Joer 2027 ze starten. Dës nei Zort V-NAND Technologie gëtt BV (Bonding Vertical) NAND genannt beschiedegt net der Randerscheinung Circuit Struktur a kann e bësse Dicht erreechen déi 60% méi héich ass wéi d'CoP Léisung. Zousätzlech gëtt d'Zuel vu V11 NAND Schichten am Joer 2027 weider erhéicht, den I / O Taux kann ëm 50% erhéicht ginn, an Dausende vu Schichten vum Stacking ginn erwaart an der Zukunft z'erreechen.