Samsung Electronics yeni nesil V-NAND teknolojisini piyasaya sürmeyi planlıyor

Kore basınında çıkan haberlere göre Samsung Electronics, 2026'da 400'den fazla katmana sahip yeni nesil V-NAND teknolojisini ve 2027'de VCT yapısına dayalı 0a nm DRAM'i piyasaya sürmeyi planlıyor. Bu yeni tip V-NAND teknolojisine BV (Bonding Vertical) NAND adı veriliyor. Bellek hücrelerini ve çevresel devreleri ayrı ayrı üretip ardından dikey bağlama gerçekleştirerek mevcut CoP çevresel hücre yapısını değiştirecek ve böylece NAND istifleme işleminin önüne geçilecek. çevresel devre yapısına zarar vermez ve CoP çözümüne göre %60 daha yüksek bir bit yoğunluğuna ulaşabilir. Ayrıca 2027 yılında V11 NAND katman sayısının daha da artırılması, I/O oranının %50 oranında artırılabilmesi ve gelecekte binlerce katman istiflenmesinin sağlanması bekleniyor.