Samsung Electronics yangi avlod V-NAND texnologiyasini ishga tushirishni rejalashtirmoqda

Koreya OAVlarining xabar berishicha, Samsung Electronics 2026 yilda 400 dan ortiq qatlamli yangi avlod V-NAND texnologiyasini va 2027 yilda VCT tuzilmasi asosidagi 0a nm DRAMni ishga tushirishni rejalashtirmoqda. V-NAND texnologiyasining bu yangi turi BV (Vertical Bonding) NAND deb nomlanadi periferik kontaktlarning zanglashiga olib kelmasligi va CoP eritmasidan 60% yuqori bo'lgan bir oz zichlikka erishishi mumkin. Bundan tashqari, 2027 yilda V11 NAND qatlamlari soni yanada ko'paytiriladi, kiritish-chiqarish tezligi 50% ga oshirilishi mumkin va kelajakda minglab stacking qatlamlariga erishish kutilmoqda.