Samsung Electronics načrtuje lansiranje tehnologije V-NAND naslednje generacije

Glede na poročila korejskih medijev namerava Samsung Electronics leta 2026 lansirati tehnologijo V-NAND naslednje generacije z več kot 400 plastmi in leta 2027 lansirati 0a nm DRAM, ki temelji na strukturi VCT. Ta nova tehnologija V-NAND se imenuje BV (Bonding Vertical) NAND. Spremenila bo obstoječo strukturo perifernih celic CoP z ločeno proizvodnjo pomnilniških celic in perifernih vezij, s čimer se bo izognila procesu zlaganja NAND ne poškoduje strukture perifernega vezja in lahko doseže gostoto bitov, ki je 60 % višja od rešitve CoP. Poleg tega se bo število slojev V11 NAND leta 2027 še povečalo, stopnja V/I se lahko poveča za 50 %, v prihodnosti pa naj bi dosegli na tisoče slojev zlaganja.