Samsung Electronics plāno laist klajā nākamās paaudzes V-NAND tehnoloģiju

Saskaņā ar Korejas mediju ziņojumiem Samsung Electronics plāno 2026. gadā laist klajā nākamās paaudzes V-NAND tehnoloģiju ar vairāk nekā 400 slāņiem un 2027. gadā laist klajā 0a nm DRAM, kuras pamatā ir VCT struktūra. Šī jaunā V-NAND tehnoloģija tiek saukta par BV (Bonding Vertical) NAND. Tas mainīs esošo CoP perifērijas šūnu struktūru, atsevišķi izgatavojot atmiņas šūnas un perifērijas ķēdes, tādējādi izvairoties no NAND sakraušanas procesa nesabojā perifērijas ķēdes struktūru un var sasniegt bitu blīvumu, kas ir par 60% lielāks nekā CoP risinājums. Turklāt V11 NAND slāņu skaits 2027. gadā tiks vēl vairāk palielināts, I/O ātrumu var palielināt par 50%, un nākotnē ir paredzēts sasniegt tūkstošiem slāņu sakraušanas.