Samsung Electronics planuje wprowadzenie na rynek technologii V-NAND nowej generacji

Według doniesień koreańskich mediów Samsung Electronics planuje wprowadzić na rynek technologię V-NAND nowej generacji z ponad 400 warstwami w 2026 r., a w 2027 r. wprowadzić na rynek pamięć DRAM 0 nm opartą na strukturze VCT. Ta nowa technologia V-NAND nazywa się BV (Bonding Vertical) NAND. Zmieni ona istniejącą strukturę komórek peryferyjnych CoP poprzez oddzielne wytwarzanie komórek pamięci i obwodów peryferyjnych, a następnie wykonanie łączenia pionowego, unikając w ten sposób procesu układania NAND strukturę obwodu peryferyjnego i może osiągnąć gęstość bitową o 60% wyższą niż rozwiązanie CoP. Ponadto liczba warstw V11 NAND w 2027 r. będzie dalej zwiększana, szybkość operacji we/wy może wzrosnąć o 50%, a w przyszłości oczekuje się osiągnięcia tysięcy warstw układania.