Spoločnosť Samsung Electronics plánuje uviesť na trh novú generáciu technológie V-NAND

Podľa správ kórejských médií spoločnosť Samsung Electronics plánuje v roku 2026 spustiť technológiu V-NAND novej generácie s viac ako 400 vrstvami a v roku 2027 uviesť na trh 0a nm DRAM založenú na štruktúre VCT. Tento nový typ technológie V-NAND sa nazýva BV (Bonding Vertical) NAND. Zmení existujúcu štruktúru periférnych buniek CoP tým, že sa pamäťové bunky a periférne obvody vyrobia samostatne a potom sa vykoná vertikálne spojenie, čím sa zabráni procesu skladania NAND nepoškodí štruktúru periférneho obvodu a môže dosiahnuť bitovú hustotu, ktorá je o 60 % vyššia ako pri riešení CoP. Okrem toho sa počet vrstiev V11 NAND v roku 2027 ešte zvýši, rýchlosť I/O sa môže zvýšiť o 50 % a v budúcnosti sa očakáva dosiahnutie tisícok vrstiev stohovania.