Samsung Electronics วางแผนที่จะเปิดตัวเทคโนโลยี V-NAND เจเนอเรชั่นถัดไป

ตามรายงานของสื่อเกาหลี Samsung Electronics วางแผนที่จะเปิดตัวเทคโนโลยี V-NAND เจเนอเรชั่นถัดไปที่มีมากกว่า 400 เลเยอร์ในปี 2569 และเปิดตัว DRAM ขนาด 0a nm ที่ใช้โครงสร้าง VCT ในปี 2570 เทคโนโลยี V-NAND ประเภทใหม่นี้เรียกว่า BV (Bonding Vertical) NAND โดยจะเปลี่ยนโครงสร้างเซลล์อุปกรณ์ต่อพ่วง CoP ที่มีอยู่โดยการผลิตเซลล์หน่วยความจำและวงจรอุปกรณ์ต่อพ่วงแยกจากกัน จากนั้นจึงทำการประสานแนวตั้ง เพื่อหลีกเลี่ยงกระบวนการซ้อนของ NAND ไม่สร้างความเสียหายให้กับโครงสร้างวงจรอุปกรณ์ต่อพ่วง และสามารถรับความหนาแน่นบิตที่สูงกว่าโซลูชัน CoP ถึง 60% นอกจากนี้ จำนวนเลเยอร์ V11 NAND ในปี 2570 จะเพิ่มขึ้นอีก อัตรา I/O สามารถเพิ่มได้ 50% และคาดว่าจะสามารถซ้อนชั้นได้หลายพันชั้นในอนาคต