Samsung Electronics có kế hoạch ra mắt công nghệ V-NAND thế hệ tiếp theo

Theo báo chí Hàn Quốc đưa tin, Samsung Electronics có kế hoạch ra mắt công nghệ V-NAND thế hệ tiếp theo với hơn 400 lớp vào năm 2026 và ra mắt DRAM 0a nm dựa trên cấu trúc VCT vào năm 2027. Loại công nghệ V-NAND mới này được gọi là NAND BV (Liên kết dọc). Nó sẽ thay đổi cấu trúc ô ngoại vi CoP hiện có bằng cách sản xuất các ô nhớ và mạch ngoại vi riêng biệt, sau đó thực hiện liên kết dọc, do đó tránh được quá trình xếp chồng NAND. không làm hỏng cấu trúc mạch ngoại vi và có thể đạt được mật độ bit cao hơn 60% so với giải pháp CoP. Ngoài ra, số lượng lớp V11 NAND vào năm 2027 sẽ còn tăng thêm, tốc độ I/O có thể tăng thêm 50% và dự kiến ​​sẽ đạt được hàng nghìn lớp xếp chồng trong tương lai.