Samsung Electronics berencana meluncurkan teknologi V-NAND generasi berikutnya

Menurut laporan media Korea, Samsung Electronics berencana meluncurkan teknologi V-NAND generasi berikutnya dengan lebih dari 400 lapisan pada tahun 2026 dan meluncurkan DRAM 0a nm berdasarkan struktur VCT pada tahun 2027. Teknologi V-NAND jenis baru ini disebut BV (Bonding Vertical) NAND. Ini akan mengubah struktur sel periferal CoP yang ada dengan membuat sel memori dan sirkuit periferal secara terpisah dan kemudian melakukan ikatan vertikal, sehingga menghindari proses penumpukan NAND tidak merusak struktur sirkuit periferal dan dapat mencapai kepadatan bit 60% lebih tinggi dari solusi CoP. Selain itu, jumlah lapisan V11 NAND pada tahun 2027 akan semakin ditingkatkan, tingkat I/O dapat ditingkatkan sebesar 50%, dan ribuan lapisan penumpukan diharapkan dapat dicapai di masa mendatang.