Samsung Electronics merancang untuk melancarkan teknologi V-NAND generasi akan datang

Menurut laporan media Korea, Samsung Electronics merancang untuk melancarkan teknologi V-NAND generasi akan datang dengan lebih daripada 400 lapisan pada 2026 dan melancarkan DRAM 0a nm berdasarkan struktur VCT pada 2027. Teknologi V-NAND jenis baharu ini dipanggil BV (Bonding Vertical) NAND Ia akan mengubah struktur sel persisian CoP sedia ada dengan mengeluarkan sel memori dan litar persisian secara berasingan dan kemudian melakukan ikatan menegak, dengan itu mengelakkan proses penyusunan NAND tidak merosakkan struktur litar persisian dan boleh mencapai ketumpatan bit yang 60% lebih tinggi daripada penyelesaian CoP. Di samping itu, bilangan lapisan V11 NAND pada tahun 2027 akan ditingkatkan lagi, kadar I/O boleh ditingkatkan sebanyak 50%, dan beribu-ribu lapisan susunan dijangka akan dicapai pada masa hadapan.