سامسونگ الکترونیکس قصد دارد نسل بعدی فناوری V-NAND را عرضه کند

طبق گزارش رسانه های کره ای، سامسونگ الکترونیکس قصد دارد نسل بعدی فناوری V-NAND را با بیش از 400 لایه در سال 2026 راه اندازی کند و DRAM 0a nm بر اساس ساختار VCT را در سال 2027 راه اندازی کند. این نوع جدید از فناوری V-NAND BV (Bonding Vertical) NAND نامیده می شود که با ساخت سلول های حافظه و مدارهای جانبی به طور جداگانه و سپس انجام پیوند عمودی، ساختار سلول های محیطی موجود را تغییر می دهد به ساختار مدار محیطی آسیب نمی رساند و می تواند به چگالی بیتی 60 درصد بالاتر از محلول CoP دست یابد. علاوه بر این، تعداد لایه‌های NAND V11 در سال 2027 بیشتر افزایش می‌یابد، نرخ I/O را می‌توان تا 50 درصد افزایش داد و انتظار می‌رود هزاران لایه انباشتگی در آینده به دست آید.