تخطط شركة Samsung Electronics لإطلاق الجيل التالي من تقنية V-NAND

وفقًا لتقارير وسائل الإعلام الكورية، تخطط شركة Samsung Electronics لإطلاق الجيل التالي من تقنية V-NAND بأكثر من 400 طبقة في عام 2026 وإطلاق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (0anm DRAM) استنادًا إلى هيكل VCT في عام 2027. تُسمى تقنية V-NAND الجديدة هذه باسم BV (Bonding Vertical) NAND، وستعمل على تغيير بنية الخلايا المحيطية الحالية لـ CoP عن طريق تصنيع خلايا الذاكرة والدوائر الطرفية بشكل منفصل ثم إجراء الترابط الرأسي، وبالتالي تجنب عملية تكديس NAND هيكل الدائرة الطرفية ويمكن أن يحقق كثافة بت أعلى بنسبة 60% من محلول CoP. بالإضافة إلى ذلك، سيتم زيادة عدد طبقات V11 NAND في عام 2027، ويمكن زيادة معدل الإدخال/الإخراج بنسبة 50%، ومن المتوقع تحقيق آلاف طبقات التراص في المستقبل.