Samsung Electronics yeni nəsil V-NAND texnologiyasını təqdim etməyi planlaşdırır

Koreya mətbuatının məlumatına görə, Samsung Electronics 2026-cı ildə 400-dən çox təbəqəyə malik yeni nəsil V-NAND texnologiyasını və 2027-ci ildə VCT strukturu əsasında 0a nm DRAM-ı işə salmağı planlaşdırır. Bu yeni V-NAND texnologiyası BV (Bonding Vertical) NAND adlanır. O, yaddaş hüceyrələrini və periferik sxemləri ayrı-ayrılıqda istehsal edərək, sonra şaquli birləşməni həyata keçirərək, NAND yığma prosesinə zərər vermir periferik dövrə strukturu və CoP məhlulundan 60% yüksək olan bir az sıxlığa nail ola bilər. Bundan əlavə, 2027-ci ildə V11 NAND təbəqələrinin sayı daha da artırılacaq, giriş/çıxış dərəcəsi 50% artırıla bilər və gələcəkdə minlərlə təbəqənin yığılmasına nail olunması gözlənilir.