Samsung Electronics გეგმავს ახალი თაობის V-NAND ტექნოლოგიის გამოშვებას

კორეული მედიის ცნობით, Samsung Electronics გეგმავს ახალი თაობის V-NAND ტექნოლოგიის გამოშვებას 400-ზე მეტი ფენით 2026 წელს და 0a nm DRAM-ის გაშვებას VCT სტრუქტურის საფუძველზე 2027 წელს. ამ ახალ V-NAND ტექნოლოგიას უწოდებენ BV (Bonding Vertical) NAND. ის შეცვლის CoP პერიფერიული უჯრედების ცალ-ცალკე დამზადებით და შემდეგ ვერტიკალურ შეკავშირებას, რითაც თავიდან აიცილებს მას დაწყობის პროცესს პერიფერიული მიკროსქემის სტრუქტურას და შეუძლია მიაღწიოს ცოტა სიმკვრივეს, რომელიც 60%-ით მეტია CoP ხსნარზე. გარდა ამისა, 2027 წელს V11 NAND ფენების რაოდენობა კიდევ უფრო გაიზრდება, I/O სიხშირე შეიძლება გაიზარდოს 50%-ით და მოსალოდნელია მომავალში დაწყობის ათასობით ფენის მიღწევა.