Samsung Electronics oreko plan omoherakuãvo tecnología V-NAND generación oúva

Péicha he'i medios de comunicación coreano, Samsung Electronics oreko plan omoherakuãvo tecnología V-NAND generación oúva orekóva más de 400 capas ary 2026 ha omoñepyrüvo DRAM 0a nm oñemopyendáva estructura VCT ary 2027. Ko tipo pyahu tecnología V-NAND rehegua héra BV (Bonding Vertical) NAND Omoambuéta estructura de células periféricas CoP oîmava ofabrikávo umi célula memoria ha circuito periférico por separado ha upéi ojapóvo enlace vertical, upéicha ojehekýivo proceso de apilamiento NAND ojapóva ndombyai estructura circuito periférico ha ikatu ohupyty densidad de bits 60% yvateve solución CoP-gui. Avei, oñembohetavéta capa V11 NAND ary 2027-pe, ikatu ojehupi tasa E/S 50%, ha oñehaꞌarõ ojehupyty miles de capas de apilamiento tenonderãme.