Samsung Electronics genera- V-NAND technologiam proximam mittere cogitat

Ex instrumentis Coreanis tradit, Samsung Electronics consilia ad technologiam proximam V-NAND mittendam cum pluribus quam 400 stratis in 2026 et 0a nm DRAM deducunt secundum VCT structuram anno 2027 . Hoc novum genus technologiae V-NAND appellatur NAND BV (Bonding Vertical) structuram periphericam ambitus non laedere, et aliquid densitatis 60% altioris quam solutionis Copiae consequi potest. Praeterea numerus V11 NAND stratorum 2027 augebitur, rate I/O augeri potest per L%, et milia laminis positio expectatur ut in futuro perficiatur.