日本丰田合成公司成功开发出200mm氮化镓单晶晶圆

日本丰田合成株式会社宣布，已成功开发出用于垂直晶体管的200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。这种新型晶体管可以提供比传统横向晶体管更高的功率器件密度，并可以应用于200mm和300mm的硅基氮化镓工艺。大阪大学和丰田合成的研究人员通过使用Na-flux工艺，成功在200mm的多点种子（MPS）衬底上生长出略小于200mm的对角线长度的六角形GaN晶体。