韓國SK Key Foundry確認650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率電晶體（HEMT）裝置特性

韓國8吋純晶圓代工廠SK Key Foundry近日宣布，已成功確認650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率電晶體（HEMT）裝置的特性，並正在加大開發力度，預計年內完成開發。 GaN以其高速開關和低電阻特性而聞名，被認為是下一代功率半導體，相較於現有矽（Si）基半導體，GaN具有更低損耗、更高效率和更小體積的優勢。主要應用領域包括電源、混合動力和電動車、太陽能逆變器等。 SK Key Foundry計劃為現有功率半導體用戶推廣650V GaN HEMT，並尋求新客戶。此外，該公司還計劃擴充GaN產品組合，為GaN HEMT和GaN IC提供多種電壓選項。