Südkorea's SK Key Foundry bestätegt 650-Volt Galliumnitrid (GaN) High-Elektron Mobility Transistor (HEMT) Apparat Charakteristiken

Südkorea's 8-Zoll pure Wafer Schmelz SK Key Foundry huet viru kuerzem ugekënnegt datt et d'Charakteristiken vun engem 650-Volt Galliumnitrid (GaN) High-Elektron Mobility Transistor (HEMT) Apparat erfollegräich bestätegt huet an d'Entwécklungsefforten eropgeet a gëtt erwaart d'Entwécklung bannent ze kompletéieren. dëst Joer. GaN ass bekannt fir seng High-Speed-Schalter a Low-Resistenzeigenschaften a gëtt als nächst Generatioun Kraaft-Hallefueder ugesinn Am Verglach mat existente Silizium (Si)-baséiert Hallefleit, huet GaN d'Virdeeler vu méi nidderegen Verloscht, méi héijer Effizienz a méi kleng Gréisst. Haaptapplikatiounsberäicher enthalen Stroumversuergung, Hybrid an elektresch Gefierer, Solarinverter, asw. SK Key Foundry plangt 650V GaN HEMT fir existent Power Semiconductor Benotzer ze promoten an nei Clienten ze sichen. Zousätzlech plangt d'Firma säi GaN Produktportfolio auszebauen fir verschidde Spannungsoptioune fir GaN HEMTs a GaN ICs ze bidden.