Deimhníonn Teilgcheárta Eochair SK na Cóiré Theas saintréithe feiste trasraitheora ard-shoghluaisteachta leictreon (HEMT) 650 bholta nítríde ghailliam (GaN)

D'fhógair teilgcheárta wafer íon 8-orlach na Cóiré Theas SK Key Foundry le déanaí gur dheimhnigh sé go rathúil tréithe gléas trasraitheora ard-soghluaisteachta leictreon nítríde (GaN) 650-bholta (HEMT), agus tá iarrachtaí forbartha ag méadú agus táthar ag súil go gcuirfear an fhorbairt i gcrích. laistigh den bhliain seo. Tá GaN aitheanta mar gheall ar a shaintréithe lasctha ardluais agus friotaíocht íseal agus meastar gur leathsheoltóir cumhachta den chéad ghlúin eile é i gcomparáid leis na leathsheoltóirí atá bunaithe ar sileacain (Si) atá ann cheana féin, tá na buntáistí a bhaineann le caillteanas níos ísle, éifeachtacht níos airde agus méid níos lú ag GaN. I measc na bpríomhréimsí iarratais tá soláthairtí cumhachta, feithiclí hibrideacha agus leictreacha, inverters gréine, etc. Tá sé beartaithe ag SK Key Foundry 650V GaN HEMT a chur chun cinn d'úsáideoirí leathsheoltóra cumhachta atá ann cheana féin agus custaiméirí nua a lorg. Ina theannta sin, tá sé beartaithe ag an gcuideachta a punann táirgí GaN a leathnú chun roghanna ilvoltais a sholáthar do GaN HEMTs agus GaN ICs.