Το SK Key Foundry της Νότιας Κορέας επιβεβαιώνει τα χαρακτηριστικά της συσκευής τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων (HEMT) νιτριδίου γαλλίου (GaN) 650 volt

Το καθαρό χυτήριο γκοφρετών 8 ιντσών της Νότιας Κορέας SK Key Foundry ανακοίνωσε πρόσφατα ότι επιβεβαίωσε με επιτυχία τα χαρακτηριστικά μιας συσκευής τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων (HEMT) νιτριδίου γαλλίου (GaN) 650 volt και αυξάνει τις προσπάθειες ανάπτυξης και αναμένεται να ολοκληρώσει την ανάπτυξη εντός φέτος. Το GaN είναι γνωστό για τα χαρακτηριστικά μεταγωγής υψηλής ταχύτητας και χαμηλής αντίστασης και θεωρείται ημιαγωγός ισχύος επόμενης γενιάς Σε σύγκριση με τους υπάρχοντες ημιαγωγούς με βάση το πυρίτιο, το GaN έχει τα πλεονεκτήματα της χαμηλότερης απώλειας, της υψηλότερης απόδοσης και του μικρότερου μεγέθους. Οι κύριοι τομείς εφαρμογής περιλαμβάνουν τροφοδοτικά, υβριδικά και ηλεκτρικά οχήματα, ηλιακούς μετατροπείς κ.λπ. Η SK Key Foundry σχεδιάζει να προωθήσει το 650V GaN HEMT σε υπάρχοντες χρήστες ημιαγωγών ισχύος και να αναζητήσει νέους πελάτες. Επιπλέον, η εταιρεία σχεδιάζει να επεκτείνει το χαρτοφυλάκιο προϊόντων GaN για να παρέχει πολλαπλές επιλογές τάσης για GaN HEMT και GaN IC.