SK Key Foundry Korea Selatan mengonfirmasi karakteristik perangkat transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT) galium nitrida (GaN) 650 volt

Pengecoran wafer murni 8 inci Korea Selatan SK Key Foundry baru-baru ini mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengkonfirmasi karakteristik perangkat transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT) galium nitrida (GaN) 650 volt, dan sedang meningkatkan upaya pengembangan dan diharapkan untuk menyelesaikan pengembangan dalam tahun ini. GaN dikenal dengan peralihan kecepatan tinggi dan karakteristik resistansi rendah serta dianggap sebagai semikonduktor daya generasi berikutnya. Dibandingkan dengan semikonduktor berbasis silikon (Si), GaN memiliki keunggulan berupa kerugian yang lebih rendah, efisiensi yang lebih tinggi, dan ukuran yang lebih kecil. Area aplikasi utama meliputi pasokan listrik, kendaraan hibrida dan listrik, inverter surya, dll. SK Key Foundry berencana untuk mempromosikan HEMT 650V GaN kepada pengguna semikonduktor daya yang sudah ada dan mencari pelanggan baru. Selain itu, perusahaan berencana untuk memperluas portofolio produk GaN untuk menyediakan berbagai pilihan voltase untuk HEMT GaN dan IC GaN.