SK Key Foundry Korea Selatan mengesahkan ciri peranti transistor mobiliti elektron tinggi (HEMT) 650 volt galium nitrida (GaN)

Faundri wafer tulen 8-inci Korea Selatan SK Key Foundry baru-baru ini mengumumkan bahawa ia telah berjaya mengesahkan ciri-ciri peranti transistor mobiliti elektron (HEMT) tinggi 650 volt galium nitrida (GaN) dan sedang meningkatkan usaha pembangunan dan dijangka menyelesaikan pembangunan dalam tahun ini. GaN terkenal dengan ciri pensuisan berkelajuan tinggi dan rintangan rendah dan dianggap sebagai semikonduktor kuasa generasi akan datang Berbanding dengan semikonduktor berasaskan silikon (Si), GaN mempunyai kelebihan kehilangan yang lebih rendah, kecekapan yang lebih tinggi dan saiz yang lebih kecil. Kawasan aplikasi utama termasuk bekalan kuasa, kenderaan hibrid dan elektrik, penyongsang solar, dsb. SK Key Foundry merancang untuk mempromosikan 650V GaN HEMT kepada pengguna semikonduktor kuasa sedia ada dan mencari pelanggan baharu. Di samping itu, syarikat itu merancang untuk mengembangkan portfolio produk GaNnya untuk menyediakan pelbagai pilihan voltan untuk GaN HEMT dan IC GaN.