Японы Toyoda Gosei корпораци 200 мм-ийн галлий нитридын нэг талст өрөмийг амжилттай бүтээжээ.

Японы Toyoda Gosei Co., Ltd компани босоо транзисторуудад зориулсан 200 мм (8 инч) галлийн нитрид (GaN) дан талст өргүүрийг амжилттай зохион бүтээснээ зарлав. Энэхүү шинэ төрлийн транзистор нь уламжлалт хажуугийн транзисторуудаас өндөр эрчим хүчний төхөөрөмжийн нягтралыг хангаж чаддаг бөгөөд 200мм ба 300мм GaN-on-Si процесст хэрэглэж болно. Осакагийн их сургуулийн судлаачид болон Тоёода Госеи нар Na-флюкс процессыг ашиглан 200 мм-ийн олон цэгийн үрийн (MPS) субстрат дээр диагональ урт нь 200 мм-ээс бага зэрэг зургаан өнцөгт GaN талстыг амжилттай ургуулсан.