Die japanische Toyoda Gosei Corporation hat erfolgreich einen 200-mm-Galliumnitrid-Einkristallwafer entwickelt

Das japanische Unternehmen Toyoda Gosei Co., Ltd. gab bekannt, dass es erfolgreich einen 200 mm (8 Zoll) großen Galliumnitrid (GaN)-Einkristallwafer für vertikale Transistoren entwickelt hat. Dieser neue Transistortyp kann eine höhere Leistungsdichte als herkömmliche laterale Transistoren bieten und kann auf 200-mm- und 300-mm-GaN-auf-Si-Prozesse angewendet werden. Forschern der Universität Osaka und Toyoda Gosei ist es mithilfe des Na-Flussverfahrens gelungen, sechseckige GaN-Kristalle mit einer diagonalen Länge von etwas weniger als 200 mm auf einem 200 mm Multi-Point-Seed-Substrat (MPS) zu züchten.