Japanesch Toyoda Gosei Corporation huet erfollegräich en 200mm Galliumnitrid Eenkristallwafer entwéckelt

De japanesche Toyoda Gosei Co., Ltd. huet ugekënnegt datt et erfollegräich en 200mm (8-Zoll) Galliumnitrid (GaN) Eenkristallwafer fir vertikal Transistoren entwéckelt huet. Dës nei Zort Transistor kann méi héich Kraaftapparat Dicht ubidden wéi traditionell lateral Transistoren a kënnen op 200mm an 300mm GaN-on-Si Prozesser applizéiert ginn. Fuerscher vun der Osaka Universitéit an Toyoda Gosei hunn erfollegräich sechseckeg GaN Kristalle mat enger diagonaler Längt vu liicht manner wéi 200mm op engem 200mm Multi-Point Seed (MPS) Substrat mam Na-Flux Prozess gewuess.