D’fhorbair Corparáid Toyoda Gosei na Seapáine wafer aonchriostail 200mm gailliam nítríde

D'fhógair Toyoda Gosei Co., Ltd na Seapáine go bhfuil sé tar éis wafer criostail aonair 200mm (8-orlach) nítríde galium (GaN) a fhorbairt le haghaidh trasraitheoirí ingearacha. Is féidir leis an gcineál nua trasraitheora seo dlús gléas cumhachta níos airde a sholáthar ná na trasraitheoirí cliathánach traidisiúnta agus is féidir iad a chur i bhfeidhm ar phróisis GaN-on-Si 200mm agus 300mm. D'éirigh le taighdeoirí ó Ollscoil Osaka agus Toyoda Gosei criostail heicseagánach GaN a fhás le fad trasnánach beagán níos lú ná 200mm ar fhoshraith síolta ilphointí 200mm (MPS) ag baint úsáide as an bpróiseas Na-flux.