Japanske Toyoda Gosei Corporation utviklet med suksess en 200 mm galliumnitrid enkrystall wafer
Saida Semiconductor
Krystalloptoelektronikk
galliumnitrid
200 mm
300 mm
Ja
De
De
Forske
Ja
tomme
transistor
sak
tetthet
Toyoda Gosei
Japan
tall
substrat
Osaka
utvikle
2025-01-11 08:54
244
Japanske Toyoda Gosei Co., Ltd. annonserte at de med suksess har utviklet en 200 mm (8-tommers) galliumnitrid (GaN) enkeltkrystallskive for vertikale transistorer. Denne nye typen transistorer kan gi høyere effektenhetstetthet enn tradisjonelle laterale transistorer og kan brukes på 200 mm og 300 mm GaN-on-Si-prosesser. Forskere fra Osaka University og Toyoda Gosei har med suksess dyrket sekskantede GaN-krystaller med en diagonal lengde på litt mindre enn 200 mm på et 200 mm multi-point frø (MPS)-substrat ved bruk av Na-flux-prosessen.
