Η ιαπωνική Toyoda Gosei Corporation ανέπτυξε με επιτυχία μια γκοφρέτα μονοκρυστάλλου νιτριδίου γαλλίου 200 mm

Η ιαπωνική Toyoda Gosei Co., Ltd. ανακοίνωσε ότι ανέπτυξε με επιτυχία μια γκοφρέτα μονοκρυστάλλου νιτριδίου γαλλίου (GaN) 200 mm (8 ιντσών) για κάθετα τρανζίστορ. Αυτός ο νέος τύπος τρανζίστορ μπορεί να παρέχει μεγαλύτερη πυκνότητα συσκευής ισχύος από τα παραδοσιακά πλευρικά τρανζίστορ και μπορεί να εφαρμοστεί σε διαδικασίες GaN-on-Si 200mm και 300mm. Ερευνητές από το Πανεπιστήμιο της Οσάκα και την Toyoda Gosei ανέπτυξαν με επιτυχία εξαγωνικούς κρυστάλλους GaN με διαγώνιο μήκος ελαφρώς μικρότερο από 200 mm σε ένα υπόστρωμα πολλαπλών σημείων σπόρων (MPS) 200 mm χρησιμοποιώντας τη διαδικασία ροής Na.