Toyoda Gosei Corporation Jepang berhasil mengembangkan wafer kristal tunggal galium nitrida 200 mm

Toyoda Gosei Co., Ltd. dari Jepang mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan wafer kristal tunggal galium nitrida (GaN) 200mm (8 inci) untuk transistor vertikal. Transistor jenis baru ini dapat memberikan kepadatan perangkat daya yang lebih tinggi dibandingkan transistor lateral tradisional dan dapat diterapkan pada proses GaN-on-Si 200mm dan 300mm. Para peneliti dari Universitas Osaka dan Toyoda Gosei telah berhasil menumbuhkan kristal GaN heksagonal dengan panjang diagonal sedikit kurang dari 200mm pada substrat multi-point seed (MPS) 200mm menggunakan proses Na-flux.