Toyoda Gosei Corporation Jepun berjaya membangunkan wafer kristal tunggal galium nitrida 200mm

Toyoda Gosei Co., Ltd. Jepun mengumumkan bahawa ia telah berjaya membangunkan wafer kristal tunggal galium nitrida (GaN) 200mm (8 inci) untuk transistor menegak. Jenis transistor baharu ini boleh memberikan ketumpatan peranti kuasa yang lebih tinggi daripada transistor sisi tradisional dan boleh digunakan pada proses GaN-on-Si 200mm dan 300mm. Penyelidik dari Universiti Osaka dan Toyoda Gosei telah berjaya mengembangkan kristal GaN heksagon dengan panjang pepenjuru kurang daripada 200mm pada substrat benih berbilang titik (MPS) 200mm menggunakan proses fluks Na.