Matagumpay na nakabuo ang Toyoda Gosei Corporation ng Japan ng 200mm gallium nitride single-crystal wafer

Inihayag ng Toyoda Gosei Co., Ltd. ng Japan na matagumpay itong nakabuo ng 200mm (8-pulgada) na gallium nitride (GaN) na single crystal wafer para sa mga vertical transistor. Ang bagong uri ng transistor na ito ay maaaring magbigay ng mas mataas na power device density kaysa sa tradisyonal na lateral transistor at maaaring ilapat sa 200mm at 300mm GaN-on-Si na mga proseso. Matagumpay na napalago ng mga mananaliksik mula sa Osaka University at Toyoda Gosei ang mga hexagonal na kristal ng GaN na may diagonal na haba na bahagyang mas mababa sa 200mm sa isang 200mm multi-point seed (MPS) na substrate gamit ang proseso ng Na-flux.