نجحت شركة Toyoda Gosei اليابانية في تطوير رقاقة أحادية البلورة من نيتريد الغاليوم مقاس 200 ملم.

أعلنت شركة Toyoda Gosei اليابانية المحدودة أنها نجحت في تطوير رقاقة بلورية أحادية من نيتريد الغاليوم (GaN) مقاس 200 مم (8 بوصة) للترانزستورات العمودية. هذا النوع الجديد من الترانزستور يمكن أن يوفر كثافة أعلى لجهاز الطاقة من الترانزستورات الجانبية التقليدية ويمكن تطبيقه على عمليات GaN-on-Si بحجم 200 مم و300 مم. نجح باحثون من جامعة أوساكا وتويودا جوسي في تنمية بلورات GaN سداسية بطول قطري أقل بقليل من 200 مم على ركيزة بذرة متعددة النقاط (MPS) مقاس 200 مم باستخدام عملية Na-flux.