Imec宣布硅光子学重要突破

比利时微电子研究中心（Imec）于1月9日宣布，他们在硅光子学领域取得了重要突破。他们成功地在一个300mm的硅片上制造出了基于GaAs的电驱动多量子阱纳米脊激光二极管。这种二极管的阈值电流低至5mA，输出功率超过1mW，证明了在硅上直接外延生长高质量III-V材料的潜力。