Imec anuncia importante avanço em fotônica de silício

O Centro Belga de Pesquisa em Microeletrônica (Imec) anunciou em 9 de janeiro que fez um importante avanço no campo da fotônica do silício. Eles fabricaram com sucesso um diodo laser nanoridge de múltiplos poços quânticos baseado em GaAs eletricamente acionado em um wafer de silício de 300 mm. Este diodo tem uma corrente de limiar tão baixa quanto 5mA e uma potência de saída superior a 1mW, demonstrando o potencial de crescimento epitaxial de materiais III-V de alta qualidade diretamente no silício.