Imec ilmoittaa tärkeästä läpimurrosta piifotoniikassa

Belgian mikroelektroniikan tutkimuskeskus (Imec) ilmoitti 9. tammikuuta tehneensä tärkeän läpimurron piifotoniikan alalla. He valmistivat onnistuneesti GaAs-pohjaisen sähkökäyttöisen monikvanttikuoppaisen nanoridge-laserdiodin 300 mm:n piikiekolle. Tämän diodin kynnysvirta on niinkin alhainen kuin 5 mA ja lähtöteho yli 1 mW, mikä osoittaa potentiaalin epitaksiaalisesti kasvattaa korkealaatuisia III-V materiaaleja suoraan piin päällä.