Imec annoncerer vigtigt gennembrud inden for siliciumfotonik

Det belgiske Microelectronics Research Center (Imec) annoncerede den 9. januar, at de har fået et vigtigt gennembrud inden for siliciumfotonik. De fremstillede med succes en GaAs-baseret elektrisk drevet multipel kvantebrønd nanoridge laserdiode på en 300 mm siliciumwafer. Denne diode har en tærskelstrøm så lav som 5mA og en udgangseffekt på over 1mW, hvilket viser potentialet ved epitaksialt voksende III-V-materialer af høj kvalitet direkte på silicium.