Imec anuncia importante avance en fotónica de silicio

El Centro Belga de Investigación en Microelectrónica (Imec) anunció el 9 de enero que ha logrado un importante avance en el campo de la fotónica del silicio. Fabricaron con éxito un diodo láser de nanoridge de múltiples pozos cuánticos impulsado eléctricamente basado en GaAs en una oblea de silicio de 300 mm. Este diodo tiene un umbral de corriente tan bajo como 5 mA y una potencia de salida de más de 1 mW, lo que demuestra el potencial del crecimiento epitaxial de materiales III-V de alta calidad directamente sobre silicio.