Imec annuncia un'importante svolta nella fotonica del silicio

Il Centro belga di ricerca sulla microelettronica (Imec) ha annunciato il 9 gennaio di aver compiuto un importante passo avanti nel campo della fotonica del silicio. Hanno fabbricato con successo un diodo laser nanoridge a pozzetti quantici multipli basato su GaAs, azionato elettricamente, su un wafer di silicio da 300 mm. Questo diodo ha una corrente di soglia di soli 5 mA e una potenza di uscita di oltre 1 mW, dimostrando il potenziale della crescita epitassiale di materiali III-V di alta qualità direttamente sul silicio.