Az Imec fontos áttörést jelentett be a szilíciumfotonikában

A Belga Mikroelektronikai Kutatóközpont (Imec) január 9-én jelentette be, hogy fontos áttörést értek el a szilíciumfotonika területén. Sikeresen készítettek egy GaAs-alapú elektromos meghajtású, több kvantumlyukú nanoridge lézerdiódát egy 300 mm-es szilícium lapkán. Ennek a diódának a küszöbárama már 5 mA, a kimeneti teljesítménye pedig meghaladja az 1 mW-ot, ami jól mutatja a kiváló minőségű III-V anyagok epitaxiális növekedésének lehetőségét közvetlenül a szilíciumon.