Imec оголошує про важливий прорив у кремнієвій фотоніці

Бельгійський дослідницький центр мікроелектроніки (Imec) оголосив 9 січня, що вони зробили важливий прорив у галузі кремнієвої фотоніки. Вони успішно виготовили лазерний діод із численними квантовими ямами на основі GaAs на 300-міліметровій кремнієвій пластині. Цей діод має пороговий струм лише 5 мА та вихідну потужність понад 1 мВт, демонструючи потенціал епітаксійного вирощування високоякісних матеріалів III-V безпосередньо на кремнії.