韓国のSK Semiconductorが650V GaN HEMTを開発

韓国のSK Qifang Semiconductor Companyは、窒化ガリウムの主要なデバイス特性の取得に成功し、年末までに開発を完了する予定であると発表した。新製品は650V GaN HEMTで、高速充電アダプタ、LED照明、データセンター、ESS、太陽光発電用マイクロインバータなどでの使用が期待されている。 2022年、SK Qifang SemiconductorはSK Hynixに買収され、子会社となりました。これに先立ち、SK Qifang Semiconductorは8インチシリコンベースの半導体ファウンドリ事業に注力していたが、2020年にMagna Semiconductorから独立して以来、純粋なウェハファウンドリとなった。