A dél-koreai SK Semiconductor 650 V-os GaN HEMT-et fejleszt

A dél-koreai SK Qifang Semiconductor Company bejelentette, hogy sikeresen megszerezte a gallium-nitrid legfontosabb eszközjellemzőit, és azt tervezi, hogy az év vége előtt befejezi a fejlesztést. Az új termék a 650 V-os GaN HEMT, amelyet várhatóan nagy sebességű töltőadapterekben, LED-es világításban, adatközpontokban, ESS-ben és napelemes mikroinverterekben használnak majd. 2022-ben az SK Qifang Semiconductort felvásárolta az SK Hynix, és leányvállalatává vált. Ezt megelőzően az SK Qifang Semiconductor a 8 hüvelykes szilícium-alapú félvezető öntödei üzletágra összpontosított, amióta 2020-ban függetlenedett a Magna Semiconductortól, tiszta ostyaöntödévé vált.