Південнокорейська SK Semiconductor розробляє 650V GaN HEMT

Південнокорейська SK Qifang Semiconductor Company оголосила, що успішно отримала ключові характеристики пристрою з нітриду галію та планує завершити розробку до кінця року. Новий продукт — 650V GaN HEMT, який, як очікується, використовуватиметься у високошвидкісних зарядних адаптерах, світлодіодному освітленні, центрах обробки даних, ESS і сонячних мікроінверторах. У 2022 році SK Qifang Semiconductor була придбана SK Hynix і стала її дочірньою компанією. До цього компанія SK Qifang Semiconductor зосереджувалася на ливарному виробництві 8-дюймових напівпровідників на основі кремнію. Відокремившись від Magna Semiconductor у 2020 році, вона перетворилася на чисте ливарне виробництво пластин.